晶體尺寸:10毫米
電學性能:半導體
晶體結(jié)構(gòu):斜方晶系
晶胞參數(shù):a = 0.4025nm,B = 1.117nm,C = 1.135nm,α=β=γ= 9
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD,拉曼,EDX,霍爾測量


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